上海集成电路研发中心申请光电探测器及其制作方法专利，增强石墨烯的光学吸收_电子电器

上海集成电路研发中心申请光电探测器及其制作方法专利，增强石墨烯的光学吸收

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2026-06-26 17:05:47

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国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种光电探测器及其制作方法”的专利，公开号CN122294707A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体制造领域，公开了一种光电探测器及其制作方法，包括：衬底；位于衬底上表面的第一包层；位于第一包层内的第一波导，第一波导和第一包层的上表面齐平；位于第一包层和第一波导的上表面的石墨烯；位于石墨烯的上表面的第二波导；第二波导与第一波导形成波导结构。石墨烯位于第一波导和第二波导之间，第一波导和第二波导组成波导结构，也即石墨烯位于波导结构内。石墨烯距离波导结构的光场中心更近，可以增强石墨烯与光场的相互作用，增强石墨烯的光学吸收。本申请中无需采用等离子体增强的方式或者增大石墨烯的面积的方式，可以避免等离子体结构产生的光学损耗，避免大面积的石墨烯对光电探测器集成度的制约。

天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目301次，财产线索方面有商标信息116条，专利信息2217条，此外企业还拥有行政许可88个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资光学等离子体表面探测器集成电路结构专利光电包层波导石墨烯

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