国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(广东)有限公司申请一项名为“半导体芯片及其制备方法”的专利,公开号CN122003129A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本公开提供了一种半导体芯片及其制备方法,属于半导体器件领域。该半导体芯片包括:外延层、钝化层和切割道反光层;外延层具有隔离沟槽;钝化层覆盖在外延层的一侧,并填充隔离沟槽;切割道反光层覆盖在钝化层的一侧且对应隔离沟槽的位置。本公开能够有效的提高半导体芯片的裂片检测效率和准确率。
天眼查资料显示,京东方华灿光电(广东)有限公司,成立于2022年,位于珠海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(广东)有限公司参与招投标项目31次,专利信息129条,此外企业还拥有行政许可111个。
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