昇维旭技术申请半导体结构的制备方法专利，避免后续湿法刻蚀的刻蚀液渗透导致待保护层损伤_半导体

昇维旭技术申请半导体结构的制备方法专利，避免后续湿法刻蚀的刻蚀液渗透导致待保护层损伤

创始人

2025-12-04 10:43:56

0次

国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN121054483A，申请日期为2025年11月。专利摘要显示，一种半导体结构的制备方法，包括：形成初始半导体结构；在所述初始半导体结构的表面形成待保护层；在所述待保护层的表面形成保护层，所述保护层内存在沿所述保护层的厚度方向延伸的针孔缺陷，所述保护层的材质为非晶硅；在所述保护层的表面形成金属层，之后热处理使所述保护层中的非晶硅与所述金属层中的金属发生化学反应形成金属硅化物，至少使所述保护层的表层转化成金属硅化物层；其中，所述金属硅化物层内不存在沿所述金属硅化物层的厚度方向贯穿所述金属硅化物层的针孔缺陷，通过金属硅化物层，在物理上封堵原有的针孔缺陷，为下层的待保护层提供更加可靠的保护屏障，从而避免后续湿法刻蚀的刻蚀液的渗透而导致的待保护层损伤。

天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息132条，此外企业还拥有行政许可16个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法昇维投资后续金属层导体结构专利深圳金属硅化物层保护层半导体刻蚀液针孔

上一篇：2026春季新教材清华版三年级英语下册电子课本(PDF高清版)

下一篇：2026春季新教材北师大版八年级物理下册电子课本(PDF高清版)

昇维旭技术申请半导体结构的制备方法专利，避免后续湿法刻蚀的刻蚀液渗透导致待保护层损伤

相关内容

热门资讯