英飞凌申请双栅极功率半导体装置及控制方法专利，第二段区的第二特性传递曲线基于第二控制信号的电压可变
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2025-12-02 21:38:48
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“双栅极功率半导体装置和控制双栅极功率半导体装置的方法”的专利，公开号CN121057238A，申请日期为2025年5月。专利摘要显示，本公开涉及双栅极功率半导体装置和控制双栅极功率半导体装置的方法。双栅极IGBT(1)被呈现，其中有源区(1-2)包括第一段区(1-21)和第二段区(1-22)。通过两个控制信号(13-21，13-22)，两个段区都可被控制。例如，有源区(1-2)或有源区(1-2)的第二段区(1-22)包括第二势垒区(115)。例如，第一段区(1-21)表现出第一特性传递曲线，即取决于第一控制信号(13-21)的电压的负载电流，并且第二段区(1-22)表现出第二特性传递曲线，即取决于第一控制信号(13-21)的电压的负载电流，其中至少第二特性传递曲线基于第二控制信号(13-22)的电压是可变的。
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