中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于改善半导体晶体管性能在基底上分布不均的问题_半导体

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于改善半导体晶体管性能在基底上分布不均的问题

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2025-12-02 16:07:44

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121038355A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成沿第一方向延伸的介质鳍槽、形成沿第二方向延伸且横穿所述介质鳍槽的隔断槽；形成位于介质鳍槽中的第一牺牲层和位于隔断槽中的第二牺牲层；图形化第一牺牲层获得的牺牲鳍，图形化基底获得半导体鳍，图形化第二牺牲层获得牺牲隔断结构；形成位于多个鳍之间的隔离层；去除牺牲鳍和牺牲隔断结构，形成沿第一方向位于半导体鳍之间的第一凹槽，以及沿第二方向位于半导体鳍之间的第二凹槽；形成位于第一凹槽中的介质鳍和位于第二凹槽中的隔断结构；形成横跨半导体鳍的多个栅极结构；本发明实施例有利于改善半导体晶体管性能在基底上分布不均的问题。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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