中芯国际申请数字电路单元的结构、集成电路和电子装置专利，显著降低数字电路单元的阈值电压并提升信号响应速率_半导体

中芯国际申请数字电路单元的结构、集成电路和电子装置专利，显著降低数字电路单元的阈值电压并提升信号响应速率

创始人

2025-12-02 09:06:21

0次

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“数字电路单元的结构、集成电路和电子装置”的专利，公开号CN121038359A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种数字电路单元的结构、集成电路和电子装置，包括位于衬底的CMOS单元和金属布线层；CMOS单元包括位于衬底内的NMOS区域和PMOS区域、以及分别连接NMOS区域和PMOS区域的至少一个栅极结构，至少部分栅极结构被应力区域分隔为第一栅极区和第二栅极区，第一栅极区和第二栅极区通过金属布线层电性连接。本申请的技术方案能够显著降低数字电路单元的阈值电压并提升信号响应速率，在无需过度提高沟道掺杂浓度和减小栅氧化层厚度的情况下有效改善数字电路单元性能，提升器件速度和栅控能力。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业栅极投资单元中芯国际速率电子装置集成电路结构专利电路中芯栅极区

上一篇：中国电科院取得快速高效的MMC子模块电容电压平衡控制方法及系统专利

下一篇：国安部：警惕境外组织利用恶意SDK嵌入应用软件，收集敏感信息

中芯国际申请数字电路单元的结构、集成电路和电子装置专利，显著降低数字电路单元的阈值电压并提升信号响应速率

相关内容

热门资讯