三安半导体申请一种发光二极管及发光装置专利，有效缓解量子限制斯塔克效应的影响
创始人
2025-11-25 11:07:20
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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN121001469A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少包括外延叠层；外延叠层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；有源层包括至少一层第一类量子阱层和至少一层第二类量子阱层，第一类量子阱层的In浓度大于第二类量子阱层的In浓度，且第一类量子阱层不与N型半导体层的表面直接接触。本申请提供的发光二极管通过对第一类量子阱层的位置设计，能够有效缓解In浓度较大的第一类量子阱层受到量子限制斯塔克效应的影响改善载流子注入水平的调控有效调节发光强度比例，改善器件的显色性。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目58次，专利信息614条，此外企业还拥有行政许可368个。
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来源：市场资讯
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