安建科技申请高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法专利，增加击穿电压_半导体

安建科技申请高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法专利，增加击穿电压

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2026-01-13 16:08:15

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国家知识产权局信息显示，安建科技（深圳）有限公司申请一项名为“一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法”的专利，公开号CN121310600A，申请日期为2023年3月。

专利摘要显示，一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法，本发明属于功率半导体器件，包括：位于底部的漏极金属层；位于漏极金属层之上的N+衬底层；位于N+衬底层之上的N型外延层；位于器件上表面的P掺杂体区和N+掺杂源区；N+掺杂源区与位于器件上表面的源极金属相连；所述N型外延层上设置有沟槽，所述沟槽内填充有屏蔽栅电极和位于屏蔽栅电极左右两侧或其中一侧的栅电极，屏蔽栅电极与位于器件顶部的上表面金属相连，所述屏蔽栅电极下方设置有高电阻场板，所述高电阻场板下方延伸至N+衬底层中，所述高电阻场板和沟槽的侧壁间具有薄氧化层隔离。有益效果在于，利用高电阻场板，降低沟槽深处的电场强度，实现均匀的电场强度分布，增加击穿电压。

天眼查资料显示，安建科技（深圳）有限公司，成立于2019年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，安建科技（深圳）有限公司财产线索方面有商标信息4条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可10个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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