华太电子申请电容器件及制造方法专利，提高器件性能_半导体

华太电子申请电容器件及制造方法专利，提高器件性能

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2026-01-08 16:09:48

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国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“电容器件及电容器件的制造方法”的专利，公开号CN121284978A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种电容器件及电容器件的制造方法，其中，电容器件包括：基底，一侧表面向内凹陷形成沟槽；含硅介质层，形成于沟槽底面和沟槽侧壁、以及与沟槽顶部衔接的基底表面；第一类电极层，形成于沟槽内含硅介质层的表面以及基底上方含硅介质层的表面；介电层，形成于沟槽内第一类电极层的表面以及基底上方第一类电极层的表面；第二类电极层，形成于沟槽内介电层的表面以及基底上方介电层的表面；第一类电极层的数量为至少两个；第二类电极层的数量为至少一个；第一类电极层和第二类电极层交替形成，且第一类电极层和第二类电极层之间设有介电层。本申请实施例提供的电容器件及制造方法能够解决漏电的问题，从而提高器件性能。

天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息499条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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