元器件
拟购中控信息控制权，万隆光电12月4日起停牌
北京商报讯（记者 马换换 李佳雪）12月3日晚间，万隆光电（300710）披露公告称，因筹划重大资产重组，公司证券自12月4日开市起停牌。 公告显示，万隆光电正...
工商银行取得电子屏的文件上传方法等专利
国家知识产权局信息显示，中国工商银行股份有限公司取得一项名为“电子屏的文件上传方法、装置、设备、介质及产品”的专利，授权公告号CN 119728671 B，申请...
华大九天取得版图依赖效应嵌入PDK方法专利
国家知识产权局信息显示，深圳华大九天科技有限公司取得一项名为“一种版图依赖效应嵌入PDK的方法”的专利，授权公告号CN 117669453 B，申请日期为202...
瑞可达：已完成NV电源类连接器产品送样和产品展览，正就NV下一代产品贡献电源类连接器解决方案
有投资者在互动平台向瑞可达提问：“贵公司是否有跟英伟达合作。” 针对上述提问，瑞可达回应称：“尊敬的投资者，感谢您的关注。公司已完成NV电源类连接器产品的送样和...
武汉正维电子取得可调的射频电源及其控制方法专利
国家知识产权局信息显示，武汉正维电子技术有限公司取得一项名为“一种可调的射频电源及其控制方法”的专利，授权公告号CN 116318002 B，申请日期为2022...
科雷特能源取得智能化电源管理装置专利
国家知识产权局信息显示，深圳市科雷特能源科技股份有限公司取得一项名为“智能化电源管理装置”的专利，授权公告号CN 120033820 B，申请日期为2025年3...
五三通电子取得高压直流电源模块专利
国家知识产权局信息显示，深圳市五三通电子科技有限公司取得一项名为“高压直流电源模块”的专利，授权公告号CN 120454481 B，申请日期为2025年6月。 ...
柏诚系统科技取得一种洁净室用超薄型薄膜照明开关控制器专利，能够显示开关状态
国家知识产权局信息显示，柏诚系统科技股份有限公司取得一项名为“一种洁净室用超薄型薄膜照明开关控制器”的专利，授权公告号CN223613506U，申请日期为202...
中科银河芯取得一种电荷泵升压电路专利
国家知识产权局信息显示，北京中科银河芯科技有限公司取得一项名为“一种电荷泵升压电路”的专利，授权公告号CN 119628408 B，申请日期为2024年11月。...
股票行情快报：龙腾光电（688055）12月3日主力资金净买入185.63万元
证券之星消息，截至2025年12月3日收盘，龙腾光电(688055)报收于3.93元，下跌0.25%，换手率0.28%，成交量9.2万手，成交额3580.03万...
华志取得一种便携电子天平专利，方便携带
国家知识产权局信息显示，华志（福建）电子科技有限公司取得一项名为“一种便携电子天平”的专利，授权公告号CN223610944U，申请日期为2024年12月。专利...
[封云凯律师]高电位相关行为是否构成诈骗？从案例看法律界定
在当今社会，各类新兴产品和营销模式层出不穷，其中高电位产品备受关注。一些商家宣称高电位产品具有神奇功效，能治疗多种疾病，吸引了不少消费者购买。然而，这些宣传是否...
金风科创取得无功电压控制方法及装置专利
国家知识产权局信息显示，北京金风科创风电设备有限公司取得一项名为“无功电压控制方法及装置”的专利，授权公告号CN 114614462 B，申请日期为2020年1...
德州仪器申请用于双极结晶体管的半导体加工集成专利
国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“用于双极结晶体管(BJT)的半导体加工集成”的专利，公开号CN121057282A，申请日期为2025年5月。...
中山迈雷特数控取得带故障自锁功能的IGBT过流保护电路专利
国家知识产权局信息显示，中山迈雷特数控技术有限公司取得一项名为“一种带故障自锁功能的IGBT过流保护电路”的专利，授权公告号CN 115296269 B，申请日...
碳化硅与硅基mos的优缺点是什么
碳化硅MOSFET vs 硅基MOSFET：全维度对比解析 一、核心材料特性差异 碳化硅（SiC）MOSFET与传统硅（Si）MOSFET的根本区别源于半导体...
电位滴定仪能检测哪些样品
电位滴定仪主要用于测定样品中可通过化学反应引起电位变化的物质。它广泛应用于各种分析领域，能检测以下类型的样品： 酸碱滴定：测定酸或碱的浓度，如测定硫酸、盐酸、氢...
京东方申请一种像素驱动电路及显示装置专利，提高驱动电流的准确性
国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司、北京京东方技术开发有限公司申请一项名为“一种像素驱动电路及显示装置”的专利，公开号CN121053893A，...
和诚电器取得一种整流稳压器结构专利，有效降低了材料成本和加工费用
国家知识产权局信息显示，重庆和诚电器有限公司取得一项名为“一种整流稳压器结构”的专利，授权公告号CN223613655U，申请日期为2024年12月。 专利摘要...
国网上海电力取得三相统包高温超导电缆磁场老化特征计算方法专利
国家知识产权局信息显示，国网上海市电力公司取得一项名为“一种三相统包高温超导电缆磁场老化特征的计算方法”的专利，授权公告号CN 120930515 B，申请日期...