芯迈半导体申请硅电容结构及其制造方法专利，降低第一衬底发生翘曲的几率_元器件

芯迈半导体申请硅电容结构及其制造方法专利，降低第一衬底发生翘曲的几率

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2025-12-02 09:06:18

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国家知识产权局信息显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司申请一项名为“硅电容结构及其制造方法”的专利，公开号CN121038293A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种硅电容结构及其制造方法，方法包括：将第一衬底与第二衬底键合，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第二衬底键合；在所述第一衬底中形成深沟槽；在所述深沟槽中形成第一绝缘层和多晶硅层，所述第一绝缘层分隔所述多晶硅层和所述第一衬底，其中，所述第一衬底作为硅电容结构的一个电极板，所述多晶硅层作为硅电容结构的另一个电极板；解除所述第一衬底和所述第二衬底的键合。本申请提供的硅电容结构及其制造方法，通过将第一衬底与第二衬底进行键合，使得在第一衬底中刻蚀深沟槽时，降低第一衬底发生翘曲的几率。

天眼查资料显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息195条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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