华虹半导体申请闪存器件及其制备方法专利，改善器件电性能_元器件

华虹半导体申请闪存器件及其制备方法专利，改善器件电性能

创始人

2025-12-01 12:35:58

0次

国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“闪存器件及其制备方法”的专利，公开号CN121038280A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本申请提供一种闪存器件及其制备方法，其中在制备方法中，通过在所述闪存单元侧的所述存储区的衬底表面形成第一堆叠结构，分别是：钛层、第一厚度的镍铂合金层和氮化钛层，然后执行一次热退火工艺，以使第一堆叠结构转变为第二堆叠结构(堆叠的衬底、镍铂硅化物层、钛硅化物层、第二厚度的镍铂合金层和氮化钛层)，接着去除第二堆叠结构中的氮化钛层和第二厚度的镍铂合金层，最后再执行一次热退火工艺。本申请通过在衬底表面形成钛层和镍铂合金层，并在热退火之后反应得到镍铂硅化物层、钛硅化物层，钛硅化物层可以作为后续接触孔刻蚀工艺的刻蚀牺牲层，避免了后续接触孔刻蚀工艺的过量刻蚀的情况，改善了器件电性能。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1893条，此外企业还拥有行政许可117个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息123条，此外企业还拥有行政许可229个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法投资器件半导体无锡工艺专利电性能华虹镍铂合金层钛层

上一篇：市面上柔性PCB DFM成本控制检查选哪家专业-捷配PCB

下一篇：固态电池性能瓶颈被锁定！纳米级空间电荷层成优化关键突破口

华虹半导体申请闪存器件及其制备方法专利，改善器件电性能

相关内容

热门资讯