华虹半导体申请分栅快闪存储器及其制造方法专利，显著提高了器件的制造良率和可靠性_元器件

华虹半导体申请分栅快闪存储器及其制造方法专利，显著提高了器件的制造良率和可靠性

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2025-12-01 12:35:34

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“分栅快闪存储器及其制造方法”的专利，公开号CN121038276A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种分栅快闪存储器的制造方法，该方法包括：提供形成有栅极堆叠的半导体衬底，栅极堆叠包括浮置栅极和擦除栅极；通过光刻和刻蚀工艺，在栅极堆叠中形成贯穿栅极堆叠并暴露出半导体衬底的沟槽；在沟槽的侧壁上形成字线偏移间隔物；并在沟槽内形成与栅极堆叠相隔离的字线。本发明通过光刻工艺直接定义用于形成字线的沟槽，从而精确控制字线的尺寸与形貌，从根本上消除了因传统工艺形貌不规则导致的字线短路、刻蚀异常等问题，显著提高了器件的制造良率和可靠性，并有利于缩小单元面积。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1893条，此外企业还拥有行政许可117个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目928次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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