国家知识产权局信息显示,普冉半导体(上海)股份有限公司申请一项名为“一种堆叠存储结构、装置及其制作方法”的专利,公开号CN122619060A,申请日期为2026年7月。
专利摘要显示,本申请提供了一种堆叠存储结构、装置及其制作方法,涉及存储结构技术领域。该堆叠存储结构包括:第一晶圆,集成有第一存储阵列与控制单元;控制单元与第一存储阵列连接;第二晶圆,集成有与控制单元连接的第二存储阵列;第二晶圆上设置有垂直散热通道,且第一晶圆与第二晶圆通过键合方式垂直堆叠;导热层,设置于第一晶圆与第二晶圆的键合界面处,并作为第一晶圆与第二晶圆的热传导路径;垂直散热通道联通至导热层。本申请提供的方案具有散热能力更强,能够避免形成局部热点的效果。
天眼查资料显示,普冉半导体(上海)股份有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本14804.9102万人民币。通过天眼查大数据分析,普冉半导体(上海)股份有限公司共对外投资了5家企业,参与招投标项目4次,财产线索方面有商标信息11条,专利信息224条,此外企业还拥有行政许可7个。
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来源:市场资讯