江苏第三代半导体研究院申请发光二极管外延片及其制备方法专利，提高了氮化物发光二极管的亮度和发光效率_元器件

江苏第三代半导体研究院申请发光二极管外延片及其制备方法专利，提高了氮化物发光二极管的亮度和发光效率

创始人

2026-07-19 12:31:13

0次

国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种发光二极管外延片及其制备方法与应用”的专利，公开号CN122180218A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种发光二极管外延片及其制备方法与应用，所述发光二极管外延片包括依次层叠设置的衬底、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、氮化物发光层、p型氮化物层、氮化物电极接触层和电极层；所述衬底的表面分为至少一个第一区域和至少一个第二区域，多个第一区域之间间隔设置，多个第二区域之间间隔设置，且第一区域的表面设置有第一图形结构；所述衬底的第二区域对应的所述氮化物电极接触层远离所述p型氮化物层的一侧设置至少一个第二图形结构；本发明发光二极管外延片通过在衬底上设置不同区域，且在第二区域对应的氮化物接触层上间隔设置图形结构，极大地降低了侧壁损伤带来的非辐射复合，提高了氮化物发光二极管的亮度和发光效率。

天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息419条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法亮度氮化物投资半导体提高了外延专利区域物层衬底延片二极管

上一篇：3分钟学会“微娱棋牌开挂神器下载”详细外挂透视辅助软件教程

下一篇：3分钟学会“笑傲江湖开挂神器下载”详细外挂透视辅助软件教程

江苏第三代半导体研究院申请发光二极管外延片及其制备方法专利，提高了氮化物发光二极管的亮度和发光效率

相关内容

热门资讯