国家知识产权局信息显示,阿托梅拉公司申请一项名为“包括具有纳米晶体的耗尽层的非易失性存储器和相关方法”的专利,公开号CN121753498A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,一种存储器装置可以包括位于半导体基板上的存储器单元的阵列。每个存储器单元可以包括:第一阱,位于半导体基板中,具有第一导电类型;第二阱,与第一阱相邻并具有第二导电类型,并且与第一阱限定耗尽层;以及纳米晶体,位于耗尽区中,每个纳米晶体包括半导体材料和碳。该存储器装置还可以包括:间隔开的源极区和漏极区,与第二阱相邻并且在源极区与漏极区之间限定沟道;以及栅极,覆于沟道上。
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