阿托梅拉申请包括具有纳米晶体的耗尽层的非易失性存储器专利，限定耗尽层
创始人
2026-03-28 11:53:34
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国家知识产权局信息显示，阿托梅拉公司申请一项名为“包括具有纳米晶体的耗尽层的非易失性存储器和相关方法”的专利，公开号CN121753498A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，一种存储器装置可以包括位于半导体基板上的存储器单元的阵列。每个存储器单元可以包括：第一阱，位于半导体基板中，具有第一导电类型；第二阱，与第一阱相邻并具有第二导电类型，并且与第一阱限定耗尽层；以及纳米晶体，位于耗尽区中，每个纳米晶体包括半导体材料和碳。该存储器装置还可以包括：间隔开的源极区和漏极区，与第二阱相邻并且在源极区与漏极区之间限定沟道；以及栅极，覆于沟道上。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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