三安半导体取得发光二极管及发光装置专利，有效提高了发光二极管出光效率和出光均匀度_元器件

三安半导体取得发光二极管及发光装置专利，有效提高了发光二极管出光效率和出光均匀度

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2026-03-28 11:53:22

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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司取得一项名为“发光二极管及发光装置”的专利，授权公告号CN224054714U，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本申请提供了一种发光二极管及发光装置，发光二极管依次包括半导体叠层、欧姆接触层、欧姆接触电极和第一焊盘电极等，其中，欧姆接触层包括若干欧姆接触条，欧姆接触条沿各自延伸方向依次首尾间隔沿环向排布；欧姆接触电极包括覆盖于每个欧姆接触条之上的电极部，以及自电极部延伸至与第一焊盘电极电连接的导通部，且相邻两个电极部在俯视方向上均呈轴对称；第一焊盘电极设置于欧姆接触电极上且位于所述电极部的环形围合区域内。本申请技术方案优化了欧姆接触层的每个欧姆接触条的结构及排布方式，以及覆盖于欧姆接触层之上的欧姆接触电极的电极条的结构及排布方式，以改善平面结构的电流分布问题，有效提高了发光二极管出光效率和出光均匀度。

天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目58次，专利信息644条，此外企业还拥有行政许可406个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示科技电极投资提高了泉州装置导体专利焊盘欧姆电极部二极管

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