国家知识产权局信息显示,桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有可变ON间距的非易失性存储器”的专利,公开号CN121692651A,申请日期为2025年4月。
专利摘要显示,一种存储器设备设置有存储器块,该存储器块包括多个字线和多个绝缘层交替的堆叠结构。该多条字线包括多个存储器单元。多个存储器孔延伸穿过该字线以及穿过该绝缘层。该存储器孔具有可变直径,使得该存储器孔中的一个存储器孔在该字线中的一个字线处的该直径不同于该同一存储器孔在该字线中的另一字线处的该直径。该绝缘层具有变化的厚度,该厚度根据该存储器孔在该相应绝缘层的区域中的该直径来确定。
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