北方华创申请上电极结构及半导体工艺设备专利，能够使晶圆边缘的刻蚀速率与晶圆中心区域的刻蚀速率明显接近_元器件

北方华创申请上电极结构及半导体工艺设备专利，能够使晶圆边缘的刻蚀速率与晶圆中心区域的刻蚀速率明显接近

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2026-03-14 16:50:38

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国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“上电极结构及半导体工艺设备”的专利，公开号CN121662694A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种上电极结构及半导体工艺设备，上电极结构用于半导体工艺腔室，包括射频线圈和导电感应环，射频线圈用于在加载有射频时产生第一交变磁场，导电感应环在射频线圈的轴向上与射频线圈相对设置，且导电感应环与射频线圈之间绝缘，且射频线圈和导电感应环中的一个在另一个的径向平面上的正投影满足：射频线圈和导电感应环中的一个的至少部分位于另一个的外边缘内。本发明提供的上电极结构及半导体工艺设备，对晶圆刻蚀均匀性的改善范围较大，改善能力较强，能够使晶圆边缘的刻蚀速率与晶圆中心区域的刻蚀速率明显接近。

天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目1393次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可340个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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