晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法”_元器件

晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法”

创始人

2026-07-04 08:17:48

0次

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制备方法”，专利申请号为CN202610385445.9，授权日为2026年7月3日。

专利摘要：本发明提出一种半导体结构的制备方法，属于半导体领域，包括步骤：提供一衬底，在衬底上形成伪栅结构，衬底和伪栅结构之间依次设置有界面层、栅极介质层、阻挡层和氧化层；在伪栅结构和衬底上形成接触孔刻蚀停止层；在接触孔刻蚀停止层上形成层间介质层；平坦化处理层间介质层和接触孔刻蚀停止层，直至暴露伪栅结构；在伪栅结构、层间介质层和接触孔刻蚀停止层上形成掺杂层；刻蚀伪栅结构上的掺杂层，依次去除伪栅结构和氧化层；在阻挡层和掺杂层上形成金属材料层；平坦化处理金属材料层、掺杂层、层间介质层和接触孔刻蚀停止层，在阻挡层上形成金属栅极。通过本发明提出的制备方法，能够避免碟型凹陷的加重，从而避免金属栅极的高度降低。

今年以来晶合集成新获得专利授权270个，较去年同期增加了37.06%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1721条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。

栅极信息介质天眼集成导体阻挡层晶合结构专利接触孔停止层层间介质层

上一篇：华星光电取得驱动芯片及显示模组专利，减小驱动芯片在与显示面板绑定时的形变

下一篇：星宇股份获得实用新型专利授权：“一种利用反馈引脚动态调节DCDC转换模块输出电压的系统”

晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法”

相关内容

热门资讯