国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN121645847A,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、第一字元线及第一接触结构。第一字元线在基板上沿着第一方向延伸,其中第一字元线包括第一尾端部分、第二尾端部分及第一中间部分。第一中间部分在第一尾端部分与第二尾端部分之间,其中第一尾端部分的顶面及第二尾端部分的顶面低于第一中间部分的顶面,以及第二尾端部分的长度大于第一尾端部分的长度。第一接触结构在第一字元线的第一尾端部分上。半导体结构包括具较小的应力以避免弯曲的字元线。因此,可以防止字元线的损坏破坏半导体结构的性能。
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来源:市场资讯