海乾半导体申请碳化硅晶圆及碳化硅外延片腐蚀处理工艺专利，缩短碳化硅晶圆及碳化硅外延片加工周期_元器件

海乾半导体申请碳化硅晶圆及碳化硅外延片腐蚀处理工艺专利，缩短碳化硅晶圆及碳化硅外延片加工周期

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2026-03-07 20:47:15

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国家知识产权局信息显示，杭州海乾半导体有限公司申请一项名为“碳化硅晶圆及碳化硅外延片腐蚀处理工艺”的专利，公开号CN121620174A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅晶圆及碳化硅外延片腐蚀处理工艺，包括步骤：S1、吊装工具在初始工位完成对工件的夹持操作；S2、吊装工具将工件从载片室输运至腐蚀处理工位，进行腐蚀处理；S3、吊装工具将完成腐蚀处理的工件输运至第一清洗工位，进行第一次清洗处理；S4、吊装工具将完成第一次清洗处理的工件输运至酸洗工位，进行酸洗处理；S5、吊装工具将完成酸洗处理的工件输运至第二清洗工位，进行第二次清洗处理；S6、吊装工具将完成酸洗处理的工件输运至终端工位；其中，所述吊装工具在执行所述步骤S1至步骤S5的过程中，始终沿设定输送路径实现各工位间的连续移送；所述工件为碳化硅晶圆或碳化硅外延片。本发明的碳化硅晶圆及碳化硅外延片腐蚀处理工艺，可集中式连续作业，缩短碳化硅晶圆及碳化硅外延片加工周期。

天眼查资料显示，杭州海乾半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本600万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州海乾半导体有限公司参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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