上海积塔半导体取得气体供给通路结构及薄膜沉积设备专利，使晶圆中间位置和边缘位置的气体流量相当_元器件

上海积塔半导体取得气体供给通路结构及薄膜沉积设备专利，使晶圆中间位置和边缘位置的气体流量相当

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2026-03-07 10:48:34

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司取得一项名为“一种用于薄膜沉积的气体供给通路结构及薄膜沉积设备”的专利，授权公告号CN223974195U，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种用于薄膜沉积的气体供给通路结构及薄膜沉积设备，所述气体供给通路结构(1)包括中空管状结构的主体部(11)和中空管状结构的长度调节部(12)；所述长度调节部(12)与所述主体部(11)同轴连接，且所述长度调节部(12)的连接部分(122)可拆卸连接于所述主体部(11)上，并通过改变所述长度调节部(12)的非连接部分(123)的长度来改变所述气体供给通路结构(1)的长度。长度可调的气体供给通路结构可优化其流出的气体在晶圆表面的气体分布状态，使晶圆中间位置和边缘位置的气体流量相当，实现降低晶圆表面薄膜的厚度均匀度的目的，且该方法可降低气体供给通路结构的更换频率，降低生产成本。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1950次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1364条，此外企业还拥有行政许可200个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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