恩智浦申请通过使用decap扩散长度晶体管解决电源噪声降低的集成阱分接单元设计专利，作为第一去耦电容器连接在第一电压源和第二电压源之间_元器件

恩智浦申请通过使用decap扩散长度晶体管解决电源噪声降低的集成阱分接单元设计专利，作为第一去耦电容器连接在第一电压源和第二电压源之间

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2026-03-03 16:42:10

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国家知识产权局信息显示，恩智浦有限公司申请一项名为“通过使用decap扩散长度晶体管解决电源噪声降低的集成阱分接单元设计”的专利，公开号CN121604516A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本公开提供一种集成电路装置以及相关联的制造和操作方法，其具有安置在具有第一和第二区的半导体衬底上方的标准阱分接单元，其中所述标准阱分接单元包括安置在所述第一区中的第一多个LOD保护晶体管之间的第一系杆晶体管，以及安置在所述第二区中的第二多个LOD保护晶体管之间的第二系杆晶体管，其中所述第一多个LOD保护晶体管和所述第二多个LOD保护晶体管包括作为第一去耦电容器连接在第一电压源和第二电压源之间的第一晶体管、作为第二去耦电容器连接在所述第一电压源和所述第二电压源之间的第二晶体管，以及多个另外的虚设晶体管，每个另外的虚设晶体管具有共同连接到电源电压的栅极、源极和漏极端。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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