杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶生长装置及方法专利，旋转籽晶获得不同晶面的大尺寸氧化镓单晶_元器件

杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶生长装置及方法专利，旋转籽晶获得不同晶面的大尺寸氧化镓单晶

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2026-02-16 17:43:53

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国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种氧化镓单晶的生长装置及方法”的专利，公开号CN121519138A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种氧化镓单晶的生长装置及方法，涉及晶体生长技术领域，装置包括生长炉、支撑台、坩埚和热电偶，生长炉的炉膛包括沿第一水平方向依次分布的第一加热区、第二加热区和第三加热区，支撑台的底部设置有滚轮，滚轮与生长炉的底板滚动配合；坩埚用于盛放氧化镓原料和籽晶，热电偶用于测量氧化镓原料的温度。方法包括（1）在坩埚内加入氧化镓原料和籽晶；（2）将坩埚放置在支撑台上，使得坩埚位于第一加热区；（3）开启生长炉；（4）待氧化镓熔体的液面高度达到预设高度后，驱动支撑台带动坩埚以预设速度向第三加热区移动。能够在不改变籽晶结构的前提下，旋转籽晶获得不同晶面的大尺寸氧化镓单晶。

天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本176.9409万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息54条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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