京东方华灿光电申请高压发光二极管及其制备方法专利，改善高压发光二极管中桥接电极附着性差的问题
创始人
2026-05-28 15:24:26
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“高压发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN122094266A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本公开提供了一种高压发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在衬底上生长外延层；刻蚀所述外延层以形成沟道槽和桥接槽，所述沟道槽将所述外延层分割为多个间隔排布的发光结构；在各所述发光结构的表面形成保护层，所述保护层覆盖所述桥接槽且露出部分所述沟道槽；对所述发光结构进行湿法腐蚀；去除所述保护层的覆盖所述桥接槽的部分。本公开实施例能改善高压发光二极管中桥接电极附着性差，且容易开裂或失效的问题。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目44次，专利信息1060条，此外企业还拥有行政许可44个。
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来源：市场资讯
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