国家知识产权局信息显示,无锡芯研微电子有限公司申请一项名为“一种集成动态电流补偿模块的eFuse熔丝单元电路”的专利,公开号CN121237162A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本发明提供一种集成动态电流补偿模块的eFuse熔丝单元电路,属于半导体存储器技术领域,包括数字控制模块,偏置电路熔丝单元输出模块,偏置电路与熔丝单元输出模块相连,还包括与偏置电路连接的分压电阻R1,R3,R4、以及熔丝烧写模块,熔丝烧写模块在EN1端输入低电平控制信号时,熔丝烧写模块的NMOS管N13被打开,熔丝烧写模块的电阻R0会经过大电流开始熔丝烧写,完成后R0电阻上的硅化层被熔断使得电阻R0由低阻转化为高阻状态并且R0的阻值大于分压电阻R1,R3,R4的阻值时,完成烧写此时输出Y由1翻转为0,熔丝单元输出模块将输出信号输出到其他电路控制。本发明具有低功耗、高稳定性和宽范围的电流调节能力。
天眼查资料显示,无锡芯研微电子有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡芯研微电子有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目1次,财产线索方面有商标信息2条,专利信息7条,此外企业还拥有行政许可3个。
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