国家知识产权局信息显示,中茵微电子(南京)有限公司申请一项名为“一种后台校准的DRAM PHY ZQ电压比较器误差校准方法及电路”的专利,公开号CN121237150A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本发明的目的是提供一种后台校准的DRAM PHY ZQ电压比较器误差校准方法及电路,该方法包括:设置第一状态机的状态参数并进行后台校准;设置第二状态机根据第一状态机的校准结果进行ZQ校准。本发明通过后台校准和ZQ校准的分步协同机制,使得校准时间更短,效率高,控制逻辑更加简洁,并且校准结果可复用,减少重复校准。
天眼查资料显示,中茵微电子(南京)有限公司,成立于2021年,位于北京市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1466.8176万人民币。通过天眼查大数据分析,中茵微电子(南京)有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目21次,财产线索方面有商标信息2条,专利信息76条,此外企业还拥有行政许可17个。
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来源:市场资讯