长电科技申请半导体封装结构及其形成方法专利，减小了切割的难度
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2025-12-27 16:07:35
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国家知识产权局信息显示，长电科技管理有限公司申请一项名为“半导体封装结构及其形成方法”的专利，公开号CN121215522A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导封装结构及其形成方法，该形成方法包括：提供载板、有机支撑板和玻璃芯单元；将有机支撑板临时键合到载板上；在有机支撑板中形成多个分立的凹槽；将多个玻璃芯单元贴装在相应的凹槽内，玻璃芯单元与凹槽的之间留有缝隙；形成填充缝隙并覆盖玻璃芯单元和有机支撑板表面的有机填充层；移除载板；在有机填充层的远离玻璃芯单元的表面形成第一增层布线层；在玻璃芯单元和有机支撑板的远离有机填充层的表面形成第二增层布线层；沿相邻的玻璃芯单元之间进行分割，形成多个分立的封装结构。本申请方法减小了切割的难度，并防止玻璃芯单元中的玻璃破裂以及表面附着的有机材料的分层。
天眼查资料显示，长电科技管理有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本550000万人民币。通过天眼查大数据分析，长电科技管理有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目171次，专利信息142条，此外企业还拥有行政许可41个。
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来源：市场资讯
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