聚飞光电申请LED芯片及其制备方法专利，提高LED芯片的出光效率_芯片

聚飞光电申请LED芯片及其制备方法专利，提高LED芯片的出光效率

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2026-04-10 21:53:21

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国家知识产权局信息显示，深圳市聚飞光电股份有限公司;惠州市聚飞光电有限公司申请一项名为“一种LED芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121843295A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制备方法，LED 芯片包括衬底和设置于所述衬底的外延层，所述外延层包括依次设置的成核层、缓冲层、超晶格插入层、N电极层和P电极层，所述超晶格插入层包括交替设置的第一金属氮化物层和第二金属氮化物层。制备方法包括：对衬底进行预处理；在所述衬底上依次沉积成核层和缓冲层；在所述缓冲层上交替沉积超晶格插入层的第一金属氮化物层和第二金属氮化物层，所述超晶格插入层沉积3‑10层；在所述超晶格插入层上依次沉积N电极层和P电极层。本申请提供的一种LED芯片及其制备方法，可以很大程度上提高LED芯片的出光效率。

天眼查资料显示，深圳市聚飞光电股份有限公司，成立于2005年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本141560.5527万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市聚飞光电股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息48条，专利信息375条，此外企业还拥有行政许可69个。

惠州市聚飞光电有限公司，成立于2015年，位于惠州市，是一家以从事有色金属冶炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本80000万人民币。通过天眼查大数据分析，惠州市聚飞光电有限公司参与招投标项目13次，专利信息144条，此外企业还拥有行政许可58个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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