南亚科技申请半导体结构及其形成方法专利，提高电容的总电容
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2025-11-27 11:17:49
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 121013338 A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构，包括基板，设置在基板中的着陆垫，在基板上且覆盖着陆垫的绝缘层，以及穿过绝缘层并连接着陆垫的电容。电容可视为混成电容，包括单面电容和位于单面电容上的双面电容，可提高内部介电层和外部介电层之间的均匀性，并进一步提高电容的总电容。
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来源：市场资讯
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