华虹半导体申请控制栅金属化的制备方法专利，降低了栅极电阻_芯片

华虹半导体申请控制栅金属化的制备方法专利，降低了栅极电阻

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2026-07-11 23:01:21

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“控制栅金属化的制备方法”的专利，公开号CN122373346A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种控制栅金属化的制备方法。制备方法包括：提供基底，基于初始控制栅层及导电延伸层形成控制栅结构；在控制栅结构的内侧壁形成隔离侧墙；在隔离侧墙围成的空间内形成字线结构；对字线结构和控制栅结构进行回刻蚀，使其顶部高度低于隔离侧墙顶部；在字线结构和控制栅结构顶部形成金属硅化物层。本发明利用导电延伸层增加了控制栅顶部的有效导电表面积，从而能够形成金属硅化物，降低了栅极电阻；同时，通过回刻蚀工艺形成的高度差使突出的隔离侧墙起到物理阻挡作用，有效防止了金属化过程中的桥接短路，提升了器件的运行速度和生产良率。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2073条，此外企业还拥有行政许可119个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7858条，此外企业还拥有行政许可461个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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