北京集成电路装备创新中心申请孔填充方法及半导体器件专利，降低钨填充后通孔或接触孔的电阻率
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2025-11-27 11:16:10
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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“孔填充方法及半导体器件”的专利，公开号CN 121011565 A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种孔填充方法及半导体器件。其中，孔填充方法包括：提供含有待填充孔的半导体基底；在所述待填充孔内表面形成钨成核层；向反应腔通入隔离气体，以使所述隔离气体吸附于所述钨成核层表面；在所述钨成核层表面继续进行钨体沉积，以将所述待填充孔填充满。本发明可以避免氟元素对钨沉积过程中晶粒生长的影响，进而降低钨填充后通孔或者接触孔的电阻率。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1013950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可6个。
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来源：市场资讯
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