长鑫科技申请半导体结构制造方法专利，利于减小存储单元的漏电流_芯片

长鑫科技申请半导体结构制造方法专利，利于减小存储单元的漏电流

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2026-07-05 04:38:16

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、电子设备”的专利，公开号CN122340813A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构的制造方法包括在衬底上交替执行第一步骤和第二步骤以形成堆叠结构；其中，第一步骤包括在衬底上或者栅极层上外延生长牺牲层，第二步骤包括在牺牲层上外延生长栅极层；形成穿过堆叠结构的沟道孔；形成贯穿堆叠结构的栅极隔离槽；基于栅极隔离槽去除牺牲层，并在去除牺牲层的空间形成层间绝缘层；在形成层间绝缘层之后，从沟道孔内横向刻蚀多个栅极层，形成多个侧腔；从沟道孔内对栅极层进行氧化处理，以在侧腔内形成阻挡层。外延生长的栅极层和牺牲层能够改善沟道孔的刻蚀过程，以改善沟道孔形貌；并且氧化栅极层得到的阻挡层利于减小存储单元的漏电流。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1082次，财产线索方面有商标信息292条，专利信息703条，此外企业还拥有行政许可39个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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