硅格半导体申请跳列使用优化方法专利，大幅节省映射表占用的存储空间
创始人
2026-07-05 01:58:04
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国家知识产权局信息显示，深圳市硅格半导体有限公司申请一项名为“一种跳列使用优化方法、装置及NAND闪存控制器”的专利，公开号CN122332306A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明涉及NAND闪存存储技术领域，具体涉及一种跳列使用优化方法、装置及NAND闪存控制器，通过建立物理平面地址与直接内存访问通道地址之间的一对一初始映射关系；获取各物理平面的坏列状态信息；当存在多个物理平面均无坏列时，将多个无坏列的物理平面的地址均指向同一个目标直接内存访问通道的地址；通过所述目标直接内存访问通道获取对应的目标坏列信息，以对所述多个无坏列的物理平面进行数据访问。本发明通过将无坏列的多个物理平面映射至同一直接内存访问通道，实现了跳列信息的共享存储，大幅节省了映射表占用的存储空间，提高了开卡良率和设备稳定性，尤其适用于多Plane、多Die的高密度NAND闪存。
天眼查资料显示，深圳市硅格半导体有限公司，成立于2007年，位于深圳市，是一家以从事水利管理业为主的企业。企业注册资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市硅格半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息182条，此外企业还拥有行政许可11个。
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来源：市场资讯
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