南亚科技申请半导体结构及其制造方法专利，避免形成过大的关键尺寸
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2026-02-27 11:14:59
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121586259A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，一种半导体结构包括第一介电层、第二介电层、着陆垫以及接触栓塞。第二介电层设置在第一介电层上。第一介电层具有顶表面接触第二介电层，且顶表面为不平整顶表面。着陆垫埋设于第一介电层中。接触栓塞贯穿第二介电层且第一介电层的一部分直接接触接触栓塞。此半导体结构可以避免形成过大的关键尺寸。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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