荣芯半导体申请半导体器件及其制造方法专利，能够提高钝化层的抗开裂性能
创始人
2026-06-20 01:23:08
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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122248975A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供基底，基底表面形成有钝化沟槽；采用第一HDP工艺在钝化沟槽中沉积第一钝化层；采用第二HDP工艺在第一钝化层上沉积第二钝化层，第二HDP工艺的轰击能量高于第一HDP工艺的轰击能量；采用第三HDP工艺在第二钝化层上沉积第三钝化层，第三HDP工艺的轰击能量低于第二HDP工艺的轰击能量；采用第四HDP工艺在第三钝化层上沉积第四钝化层，第四HDP工艺的沉积速率高于第三HDP工艺的沉积速率。本发明能够提高钝化层的抗开裂性能，且工艺简单，能够减少杂质引入。
天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本750000万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目17次，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可40个。
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来源：市场资讯
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