截至2026年2月12日 11:01，上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.76%，成分股晶晨股份上涨13.20%，芯朋微上涨6.72%，复旦微电上涨6.19%，盛科通信，芯原股份等个股跟涨。科创芯片设计ETF易方达(589030)上涨1.67%，最新价报1.04元。拉长时间看，截至2026年2月11日，科创芯片设计ETF易方达近1周累计上涨1.09%。（以上所列股票仅为指数成份股，无特定推荐之意）

流动性方面，科创芯片设计ETF易方达盘中换手4.3%，成交2139.31万元。拉长时间看，截至2月11日，科创芯片设计ETF易方达近1年日均成交7985.96万元。

规模方面，科创芯片设计ETF易方达近2周规模增长3968.31万元，实现显著增长，新增规模位居可比基金2/5。（数据来源：Wind）

份额方面，科创芯片设计ETF易方达近1月份额增长1.83亿份，实现显著增长，新增份额位居可比基金2/5。（数据来源：Wind）

资金流入方面，科创芯片设计ETF易方达近10个交易日内有6日资金净流入，合计“吸金”9684.70万元，日均净流入达968.47万元。（数据来源：Wind）

全球存储芯片板块持续走强，龙头企业股价大幅上行。受AI算力需求爆发、存储芯片供需持续紧张及产品价格大幅上调等多重利好推动，今日（2月12日）存储芯片巨头领涨韩国市场。其中，三星电子股价攀升至历史高位，日内涨幅扩大至超6%；SK海力士同步走强，涨幅接近4%，行业景气度持续走高，带动全球半导体产业链情绪升温。

日前，三星电子首席技术官明确表示，内存芯片的强劲需求将持续至2027年，其HBM4芯片已实现“良好良率”，客户满意度高。SK海力士计划于2026年推出HBF1样品，采用16层NAND堆叠；三星与闪迪则瞄准2027–2028年将HBF导入英伟达、AMD及谷歌产品。这一时间表意味着，存储产业正从“谁卖得多”转向“谁架构优”，技术路线图将决定未来三年的市场格局。中银国际证券指出，AI端侧存储需求增速远超其他领域，已成为全球存储市场扩张的核心动力。

从收益能力看，截至2026年2月11日，科创芯片设计ETF易方达自成立以来，周盈利百分比为80.00%，月盈利概率为75.00%。

回撤方面，截至2026年2月11日，科创芯片设计ETF易方达成立以来相对基准回撤8.90%。

费率方面，科创芯片设计ETF易方达管理费率为0.50%，托管费率为0.10%，费率在可比基金中最低。

科创芯片设计ETF易方达紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。该指数中数字芯片设计权重占比达到76.8%，或充分受益于产业上行趋势。

数据显示，截至2026年1月30日，上证科创板芯片设计主题指数(950162)前十大权重股分别为澜起科技、海光信息、芯原股份、寒武纪、佰维存储、东芯股份、睿创微纳、臻镭科技、龙芯中科、复旦微电，前十大权重股合计占比58.7%。（以上所列股票仅为指数成份股，无特定推荐之意）

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