铠侠申请半导体装置专利，能具备第1衬底和第1绝缘膜
创始人
2026-01-08 14:48:12
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN121285281A，申请日期为2021年1月。

专利摘要显示，本发明的实施方式涉及一种半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备：第1衬底；第1绝缘膜，设置在所述第1衬底上；以及第1插塞，设置在所述第1绝缘膜内。所述装置还具备：第1层，设置在所述第1绝缘膜上；以及第1金属层，在所述第1层内设置在所述第1插塞上，且电连接于所述第1插塞。所述装置还具备第2金属层，所述第2金属层包含设置在所述第1层内的第1部分、及设置在所述第1层上的第2部分，且电连接于所述第1金属层。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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