新微半导体申请半导体功率器件及其形成方法专利，可有效缓解缓冲层中的电子积累
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2026-05-16 18:12:45
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国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“半导体功率器件及其形成方法”的专利，公开号CN122054636A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体功率器件及其形成方法，半导体功率器件包括：衬底和依次形成于衬底上的成核层、缓冲层和位错调控层，位错调控层包括第一高阻层、图形化的晶格失配层和第二高阻层，第一高阻层形成于缓冲层上，图形化的晶格失配层形成于第一高阻层上并暴露出部分第一高阻层，第二高阻层覆盖暴露出的第一高阻层并延伸覆盖图形化的晶格失配层，且第二高阻层中具有刃型位错。由于刃型位错的存在，可在其周围诱导形成连续分布的空穴陷阱，并与缓冲层中的原有陷阱相耦合，能够形成可供空穴传输的通道，通过该通道实现空穴再分布，可有效缓解缓冲层中的电子积累，从而抑制器件的动态性能衰退。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目860次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息156条，此外企业还拥有行政许可98个。
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来源：市场资讯
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