阿托梅拉申请包括局部SOI区域的半导体装置专利，可集成不同区域的半导体器件
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2025-12-30 10:10:47
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国家知识产权局信息显示，阿托梅拉公司申请一项名为“包括局部绝缘体上半导体（SOI）区域的半导体装置及相关方法”的专利，公开号CN121219833A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，一种半导体装置可以包括：半导体衬底；衬底中的间隔开的埋入式绝缘体区域；以及半导体衬底上的单晶半导体层，该单晶半导体层限定在埋入式绝缘体区域上方的相应的局部绝缘体上半导体（SOI）区域，并限定横向在相邻的SOI区域之间的相应的局部体半导体区域。该半导体装置还可以包括单晶半导体层中的超晶格。该超晶格可以包括堆叠的层组，每个层组包括堆叠的基底半导体单层，其限定基底半导体部分；以及被约束在相邻的基底半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。该半导体装置还可以包括单晶层中的半导体器件，其中半导体器件中的至少一些在局部SOI区域中，并且至少一些其它的半导体器件在局部体半导体区域中。
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来源：市场资讯
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