功率半导体器件一直是电力电子技术发展的重要组成部分，是电力电子装置实现电能转换、电源管理的核心器件，又称为电力电子器件，主要功能有变频、变压、整流、功率转换和管理等，兼具节能功效。随着电力电子应用领域的不断扩展和电力电子技术水平的提高，功率半导体器件也在不断发展和创新，其应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。

碳化硅（Silicone Carbide, SiC）是目前最受行业关注的半导体材料之一，从材料层面看，SiC是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料；绝缘击穿场强（BreakdownField）是Si的10倍，带隙（EnergyGap）是Si的3倍，饱和电子漂移速率是硅的2倍，能够实现“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”这三个特性。

从SiC的器件结构层面探究，SiC 器件漂移层电阻比 Si 器件要小，不必使用电导率调制，就能以具有快速器件结构特征的 MOSFET 同时实现高耐压和低导通电阻。与600V～900V 的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET具有芯片面积小、体二极管的反向恢复损耗非常小等优点。

不同材料、不同技术的功率器件的性能差异很大。市面上传统的测量技术或者仪器仪表一般可以覆盖器件特性的测试需求。但是宽禁带半导体器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)的技术却极大扩展了高压、高速的分布区间，如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态特性，这就对器件的测试工具提出更为严苛的挑战。

通常，主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态特性、开关特性。静态参数特性主要是表征器件本征特性指标，与工作条件无关的相关参数，如很多功率器件的的静态直流参数(如击穿电压、漏电流、阈值电压、跨导、压降、导通内阻)等。

PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试，并具有优秀的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。

系统特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试；

大电流：支持高达2KA大电流测试；

高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；

模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；

测试效率高：可自动切换、一键测试；

温度范围广：支持常温、高温测试；

兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；

测试项目

二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、 正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线

三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线

光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、 电流传输比CTR、隔离电容CIO

测试夹具

针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体，IGBT、SiC、MOS、GaN等产品，普赛斯提供整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试。