京东方华灿光电申请改善静电释放的发光二极管及其制备方法专利，提升发光二极管的可靠性_微电子

京东方华灿光电申请改善静电释放的发光二极管及其制备方法专利，提升发光二极管的可靠性

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2026-04-04 02:00:05

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“改善静电释放的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121793534A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本公开提供了一种改善静电释放的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、电流扩展层和第一手指电极，所述电流扩展层位于所述外延层的表面上，所述第一手指电极位于所述电流扩展层的远离所述外延层的表面上；所述第一手指电极包括第一条形部，所述第一条形部包括平行的第一边和第二边；所述第一条形部的第一边平行于所述电流扩展层的周边边缘，且所述第一条形部的第一边至所述电流扩展层的周边边缘的最短距离大于或者等于6μm。本公开能改善改善发光二极管出现静电释放的问题，提升发光二极管的可靠性。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目31次，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可111个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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