世源频控申请晶圆级晶体晶振MEMS封装方法专利，真空度优于1×10⁻³Pa_微电子

世源频控申请晶圆级晶体晶振MEMS封装方法专利，真空度优于1×10⁻³Pa

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2026-04-03 20:02:40

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国家知识产权局信息显示，成都世源频控技术股份有限公司申请一项名为“晶圆级晶体晶振MEMS封装方法、封装体及其成品封装方法”的专利，公开号CN121791841A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆级晶体晶振MEMS封装方法、封装体及其成品封装方法，属于半导体制造技术领域，其包括在基座晶圆上通过深硅刻蚀形成主体凹槽及旁侧方形硅通孔，填充导电材料构成垂直互连；将晶体引脚固定于通孔顶部；盖板晶圆对应刻蚀凹槽；通过金‑硅共晶键合在高真空下密封形成腔体，真空度优于1×10⁻³Pa。

天眼查资料显示，成都世源频控技术股份有限公司，成立于2010年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2293.7811万人民币。通过天眼查大数据分析，成都世源频控技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目60次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息131条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示成都晶体技术投资通孔凹槽专利封装体晶振真空度晶圆级

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