新微半导体申请判断薄膜生长准确性方法专利，可提升批次间阈值电压判定的准确性和一致性_微电子

新微半导体申请判断薄膜生长准确性方法专利，可提升批次间阈值电压判定的准确性和一致性

创始人

2026-04-03 19:34:53

0次

国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“判断薄膜生长准确性的方法”的专利，公开号CN121781264A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种薄膜生长准确性的判断方法，包括：S01：提供一参考片，分别获取参考片在暗态下的第一暗态阈值电压和在光态下的第一光态阈值电压，得到参考片的参考阈值电压；S02：测量并得到参考片的第一流片阈值电压；S03：将参考阈值电压与第一流片阈值电压的比值设置为偏差系数K；S04：提供一外延片，分别获取外延片在暗态下的第二暗态阈值电压和在光态下的第二光态阈值电压，得到外延片的实测阈值电压，根据实测阈值电压与偏差系数的比值得到第二流片阈值电压；S05：比较第二流片阈值电压和第一流片阈值电压，根据比较结果判断薄膜生长准确性。该方法可获得外延片由于工艺波动导致的阈值电压偏差，可提升批次间阈值电压判定的准确性和一致性。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目846次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息145条，此外企业还拥有行政许可98个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示投资上海批次薄膜外延流片导体准确性专利暗态阈值电压参考片

上一篇：基于 PNB 光敏保护基团的脱硫生物素衍生物：Desthiobiotin-PNB ester的性质与应用

下一篇：上海友邦电气取得电流型分接插头专利，可以有效保证后的电气性能的稳定性

新微半导体申请判断薄膜生长准确性方法专利，可提升批次间阈值电压判定的准确性和一致性

相关内容

热门资讯