国家知识产权局信息显示,英特尔公司申请一项名为“具有差异化释放层的全环绕栅极集成电路结构”的专利,公开号CN121751753A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,描述了具有差异化释放层的全环绕栅极集成电路结构。例如,集成电路结构包括子鳍结构上方的第一组水平纳米线。第一栅极结构处于第一组水平纳米线之上。第一组水平纳米线横向延伸超过第一栅极结构。第二组水平纳米线处于第一组水平纳米线之上。第二栅极结构处于第二组水平纳米线之上。第二组水平纳米线横向延伸超过第二栅极结构。电介质间隔件与第一栅极结构和第二栅极结构相邻,并且竖直地处于第一组水平纳米线和第二组水平纳米线中的相邻纳米线之间。电介质间隔件中的每一者在竖直地处于第一组水平纳米线与第二组水平纳米线之间的位置处具有凹口。
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