中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，解决电容结构中极板平坦性较差的问题_微电子

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，解决电容结构中极板平坦性较差的问题

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2026-03-17 17:09:14

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121666063A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括多层金属连线层，所述多层金属连线层包括第一金属连线层和第二金属连线层；在所述第一金属连线层上形成至少一个第一电容结构，所述第一电容结构包括第一底电极、位于所述第一底电极上的第一介电层以及位于所述第一介电层上的第一顶电极，所述第一底电极为层叠结构；在所述第一顶电极上形成第一金属插塞；在所述第一金属插塞上形成第二金属连线层。本发明实施例提供的半导体结构及其形成方法，可以解决电容结构中极板平坦性较差以及应力偏大的问题，有效提高电容结构的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司，成立于2003年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本129000万。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司参与招投标项目106次，专利信息406条，此外企业还拥有行政许可293个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目118次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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