潮州三环申请片式多层陶瓷电容器及其制备方法专利，介电损耗≤0.15%_微电子

潮州三环申请片式多层陶瓷电容器及其制备方法专利，介电损耗≤0.15%

创始人

2026-03-17 17:08:19

0次

国家知识产权局信息显示，潮州三环（集团）股份有限公司申请一项名为“一种片式多层陶瓷电容器及其制备方法”的专利，公开号CN121662605A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明属于电子元件技术领域，特别涉及一种片式多层陶瓷电容器及其制备方法；所述片式多层陶瓷电容器，包括层叠体和外电极；所述层叠体上设有外电极，所述层叠体在层叠方向上设置高介电区和低损耗区；所述高介电区包括层叠设置的设有内电极层的电介质层A；所述低损耗区包括层叠设置的设有内电极层的电介质层B；所述电介质层A的介电常数大于所述电介质层B的介电常数；所述电介质层A的介电损耗大于所述电介质层B的介电损耗。本发明中的片式多层陶瓷电容器通过引入高介电区和低损耗区，能够实现在满足低损耗的同时保证高介电性能，具体为：介电常数≥1850，介电损耗≤0.15%。

天眼查资料显示，潮州三环（集团）股份有限公司，成立于1992年，位于潮州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本191649.7371万人民币。通过天眼查大数据分析，潮州三环（集团）股份有限公司共对外投资了24家企业，参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息102条，专利信息737条，此外企业还拥有行政许可109个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业电介质投资陶瓷片式电容器潮州高介电三环专利层叠体介电电介质层

上一篇：水晶光电（002273）3月16日主力资金净买入780.99万元

下一篇：中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，解决电容结构中极板平坦性较差的问题

潮州三环申请片式多层陶瓷电容器及其制备方法专利，介电损耗≤0.15%

相关内容

热门资讯