北方集成电路技术创新中心申请三维沟槽铁电电容器紧凑模型建模方法专利，提升了电学性能预测精度_微电子

北方集成电路技术创新中心申请三维沟槽铁电电容器紧凑模型建模方法专利，提升了电学性能预测精度

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2026-03-17 16:38:25

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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司;清华大学申请一项名为“三维沟槽铁电电容器紧凑模型建模方法、装置及电子设备”的专利，公开号CN121661244A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及一种三维沟槽铁电电容器紧凑模型建模方法、装置及电子设备，方法包括：获取目标三维沟槽电容的几何构造数据和几何构造数据的工艺误差数据；基于几何构造数据，根据预设的等效区域法对目标三维沟槽电容进行电学区域划分，得到多个独立电学区域，并确定每个独立电学区域的电学权重因子和电场增强因子，根据电学权重因子和电场增强因子构建目标三维沟槽电容的简化模型；基于工艺误差数据和简化模型，根据预先构建的蒙特卡洛框架，生成三维沟槽铁电电容器紧凑模型，由此，解决了相关技术中由于未制造工艺误差数据导致的仿真模型电学性能预测偏差较大的问题，提升了电学性能预测精度，提高了计算效率。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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