长江存储申请半导体结构及套刻误差测量方法专利，实现套刻误差的精确测量_微电子

长江存储申请半导体结构及套刻误差测量方法专利，实现套刻误差的精确测量

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2026-03-17 16:16:15

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构以及套刻误差的测量方法”的专利，公开号CN121666086A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供一种半导体结构、一种套刻误差的测量方法，其中半导体结构包括半导体基底以及沿第一方向位于半导体基底的一侧的对准标记结构。对准标记结构包括第一介质层和第二介质层。第一介质层包括第一标记对准图案，其中第一标记对准图案包括第一栅条；第二介质层沿第一方向位于第一介质层的一侧，并包括第二标记对准图案。第二标记对准图案包括第二栅条以及覆盖部分第二栅条的第三栅条，其中第二栅条与第一栅条相同；以及在与第一方向相交的方向，第二栅条的延伸尺寸大于第三栅条的延伸尺寸。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1433次，财产线索方面有商标信息976条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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